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陸記憶體布局 三大陣營成形

新聞發生日期:2018-01-02 |  相關公司:集邦科技 |  瀏覽人數:331

中國半導體發展風起雲湧,在市場、國安等考量下,記憶體成為中 國重點發展項目。根據市場研究機構集邦科技最新報告指出,隨著中 國挾帶著龐大的資金與地方政府的資源進軍半導體中的記憶體領域, 包含晉華電子、合肥長鑫、紫光集團在內的三大陣營已成形,利基型 DRAM及NAND Flash是布局重點。
  集邦表示,紫光透過併購或爭取技術母廠授權的策略多失敗收場, 但中國大陸積極吸收專業人才,無論是台灣地區的建廠人才,或是日 韓的技術人才等,皆為大陸半導體廠的目標,並且從技術授權轉為自 主研發,處處可見大陸進軍記憶體的強烈決心。
  大陸DRAM產業目前已有晉華電子、合肥長鑫等兩大陣營。晉華電子 專注利基型DRAM的開發,主攻消費型電子市場,技術合作夥伴是聯電 ,希望憑藉著大陸本有的龐大內需市場壯大自身產能,甚至在補貼政 策下,預估最快2018年底可能將擾亂國際大廠在中國市場的銷售策略 ,並且有機會取得技術矽智財(IP)走向國際市場。
  相較於晉華電子避開國際大廠的主力產品,合肥長鑫直搗國際大廠 最核心的行動式DRAM產品。行動式DRAM已是記憶體類別中占比最高的 產品,其省電技術要求極高,開發難度相當高。然而,中國品牌手機 出貨已占全球逾4成,倘若LPDDR4能順利量產並配合補貼政策,大陸 官方進口取代的策略即可完成部分階段性任務。
  觀察大陸在NAND Flash領域的發展,以紫光集團旗下的長江存儲為 最快成軍的開發廠商,初期也將以大陸內需市場的布局為主。由於長 江存儲開發早期技術力不足,難以與一線大廠相抗衡,預估其初期產 品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術發展來到64/96層才有機會 進軍固態硬碟(SSD)市場,但此市場技術競爭相當激烈,沒有中國 政府的支持,短期會難以在成本上取得優勢,利用中國內需市場壯大 自己將是紫光集團未來可行的策略。
  而武漢新芯隨著長江存儲的成立後,將專注於NOR Flash的開發, 雖然長江存儲的NAND Flash試產線暫放在武漢新芯,但隨著長江存儲 於武漢未來城基地建構完成後,未來也將各自獨立。
  集邦指出,以目前現況來看,中國發展記憶體的策略能否成功,未 來的3~5年將是極其重要的關鍵期,特別是強化矽智財的布局,中國 政府以及廠商未來必須憑藉內需市場、優秀的開發能力,以及具國際 水準的產能,取得與國際廠商最有利的談判籌碼,才有機會立足全球 並占有一席之地。<摘錄工商>
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