力晶科技公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I593093專利 |
| 公告日期 : 2017-09-29 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 64,9004.其他應敘明事項:一種半導體元件，包括：基底、感測器、介電層以及光導管結構。感測器位於基底中。介電層位於基底上。光導管結構填入介電層中的溝渠中。光導管結構對應於感測器。光導管結構具有漸變折射率。漸變折射率從光導管結構的中心往外圍區域漸減。<摘錄公開資訊觀測站> |
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