力晶科技公告本公司取得日本專利局核發JP 6166810專利 |
| 公告日期 : 2017-09-29 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導体記憶裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/193.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 177,4664.其他應敘明事項:本發明降低半導體記憶裝置再新時的大的峰值電流IDDP，並且確保位元線的感測放大器容限為規定值以上。半導體記憶裝置在多條字元線與多條位元線的各交叉點處分別具有記憶胞元，且具備從來自多個記憶胞元的多條資料線讀出資料的感測放大器、及具有從多條資料線鎖存資料的第1電晶體的感測放大器鎖存電路，其中，與多條字元線平行的相同行線的多個感測放大器被分割為多個感測放大器電路群組，所述經分割的感測放大器電路群組更包括第2電晶體，所述第2電晶體基於從資料讀出時的字元線啟動開始延遲的鎖存信號，來鎖存讀出資料。<摘錄公開資訊觀測站> |
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