力晶科技公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2318098專 |
公告日期 : 2017-03-31 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式記憶體結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/183.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 74,8404.其他應敘明事項:一種電阻式記憶體單元,包含有至少一位元線,沿著第一方向延伸;至少一字元線,設於一基底上,且沿著一第二方向延伸,與該位元線交叉;一硬遮罩層,位於該字元線上,使該字元線與該位元線電性隔離;一第一記憶胞,設於該字元線的一側壁上,;以及一第二記憶胞,設於該字元線的另一側壁上。 <摘錄公開資訊觀測站> |