力晶科技公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2320395專 |
| 公告日期 : 2017-03-31 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置及其寫入方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/01/093.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 99,9444.其他應敘明事項:一種非揮發性半導體記憶裝置，包括：一非揮發性的記憶單元陣列；以及一控制電路，用以控制該記憶單元陣列的寫入。在抹除已寫入記憶單元之資料的抹除處理之前或之後，上述控制電路檢測寫入至上述記憶單元陣列時的寫入速度，決定每區塊或每字元線之對應該寫入速度的寫入開始電壓，儲存上述所決定的寫入開始電壓於上述記憶單元陣列，以及從上述記憶單元陣列讀出寫入開始電壓以寫入預定資料。 <摘錄公開資訊觀測站> |
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