力晶科技公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I571970專利 |
| 公告日期 : 2017-03-31 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:靜態隨機存取記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/02/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$53,0004.其他應敘明事項:本發明提供一種靜態隨機存取記憶體，包括第一反相器、第二反相器、第一通道閘電晶體及第二通道閘電晶體。第一反相器包括第一上拉電晶體與第一下拉電晶體。第二反相器包括第二上拉電晶體與第二下拉電晶體。第一反相器和第二反相器係呈交互耦合連接。第一通道閘電晶體之汲極耦接於第一反相器之輸出端，第一通道閘電晶體之源極耦接於第一位元線。第二通道閘電晶體之汲極耦接於第二反相器之輸出端，第二通道閘電晶體之源極耦接於第二位元線。第一上拉電晶體與第二上拉電晶體為設置於元件隔離結構上的鑲嵌型電晶體。<摘錄公開資訊觀測站> |
首頁 > 最新重大公告 > 力晶科技重大公告
 |
 |
 |
 |
 |
.jpg){kind=small} |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
.png){kind=small} |
 |