力晶科技公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555119專利 |
| 公告日期 : 2016-12-30 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:具有氣隙的結構的形成方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 56,8004.其他應敘明事項:一種具有氣隙的結構的形成方法，包括下列步驟。在基底的圖案區中形成多個圖案。在基底上形成犧牲層，且犧牲層的上表面低於圖案的上表面，而暴露出圖案的多個上部。形成覆蓋犧牲層及圖案的上部的硬罩幕層。對硬罩幕層進行回蝕刻製程，以暴露出圖案區以外的犧牲層，且留在圖案區中的硬罩幕層封住圖案的上部之間的開口。移除犧牲層，而在相鄰兩個圖案之間形成氣隙。<摘錄公開資訊觀測站> |
首頁 > 最新重大公告 > 力晶科技重大公告
 |
 |
 |
 |
 |
.jpg){kind=small} |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
.png){kind=small} |
 |