力晶科技公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I464831專利 |
| 公告日期 : 2014-12-31 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/12/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$54,4004.其他應敘明事項:一種半導體元件的製造方法，包括下列步驟。首先，於基底上形成多個堆疊結構，其中各堆疊結構由下而上依序包括穿隧介電層、浮置閘極、閘間介電層以及控制閘極。接著，形成覆蓋於堆疊結構的第一介電層，其中第一介電層具有多個懸突，懸突包覆堆疊結構之頂部。然後，進行乾式共形蝕刻製程，以共形地移除第 一介電層，直到移除位於控制閘極頂部的高度以下的第一介電層。接下來，於堆疊結構上形成第二介電層，其中第二介電層連接相鄰的懸突，而在堆疊結構之間形成氣隙。<摘錄公開資訊觀測站> |
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