力晶科技公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1487741專 |
| 公告日期 : 2014-12-31 |
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1487741專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:具有垂直通道電晶體的動態隨機存取記憶胞及陣列2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/10/093.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$63,3994.其他應敘明事項:一種具有垂直通道電晶體的動態隨機存取記憶胞，包括半導體柱、汲極層、輔助閘極、控制閘極、源極層、電容器。半導體柱構成垂直通道電晶體的主動區。汲極層設置於半導體柱底部。輔助閘極隔著第一閘介電層而設置於汲極層附近。控制閘極隔著第二閘介電層而設置於主動區附近。源極層設置於半導體柱頂部。電容器電性連接源極層。<摘錄公開資訊觀測站> |
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