力晶科技公告本公司取得美國專利局核發US 8846485專利 |
| 公告日期 : 2014-12-31 |
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:動態隨機存取記憶體的電容器下電極的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/10/293.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$309,1904.其他應敘明事項:一種動態隨機存取記憶體的電容器下電極的製造方法包括下列步驟。提供具有記憶胞區的基底。於基底的記憶胞區上形成多晶矽模板層。於多晶矽模板層上形成支撐層。形成穿過支撐層、多晶矽模板層的多個開孔。至少於開孔所暴露的多晶矽模板層上形成一襯層(liner layer)。於基底上形成實質上共形的導電層。移除支撐層上的導電層，而形成多個電容器下電極。利用多晶矽模板層，可以製造出外型輪廓良好(側向蝕刻少)的開孔，因此可以縮小元件尺寸。<摘錄公開資訊觀測站> |
首頁 > 最新重大公告 > 力晶科技重大公告
 |
 |
 |
 |
 |
.jpg){kind=small} |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
.png){kind=small} |
 |